Главная→Технологии iXBT Ученые научили транзисторы на основе нитрида галлия выдерживать напряжение свыше 3,4 кВ 30 августа 2026, 20:55 МСК В перспективе такие элементы можно будет использовать, например, в электромобилях или в системах питания дата-центров Читать на сайте источника ↗