Китайцы нашли способ создавать передовую память DRAM без запрещенного западного оборудования

Китайский производитель оборудования для полупроводников Naura Technology Group сообщил о разработке двухэтапного процесса травления, который может использоваться при создании 3D DRAM. По данным компании, технология позволяет равномерно обрабатывать структуры как минимум с 64 парами слоев и потенциально дает возможность повышать плотность памяти за счет…