TSMC и ученые из США создали сверхэкономичную память SOT-MRAM

Инженеры Техасского университета в Остине совместно с TSMC изготовили и испытали чипы с магнитной памятью SOT-MRAM, адаптированные для задач искусственного интеллекта. Такая память сочетает высокую скорость, низкое энергопотребление и способность сохранять данные после отключения питания.